2025年中国科学技术大学879半导体物理考研真题及答案
作者：科大科院考研网 发表时间：2025-02-20 来源：科大科院考研网
中国科学技术大学
2025年硕士研究生招生考试试题
招生单位代码及名称：10358中国科学技术大学
考试科目代码及名称：879半导体物理
一、选择题（每题5分，共30分）
1、以直接复合机构为主的P型半导体，在小注入情况下，少子寿命正比于（ ）
A、
B、
C、
D、
2、半导体内有两种主要的散射机构，温度升高，电离杂质散射概率和晶格振动散射概率其变化分别为（ ）
A、变大 变大 B、变小 变大 C、变大 变小 D、变小 变小
3、根据费米能级理论，N型半导体在掺杂浓度在逐渐增大时，电子占据费米能级的概率（ ）
A、上升 B、下降 C、未知 D、不变
4、下列说法错误的是（ ）
A、半导体空穴都分布在价带顶
上方
B、当发现半导体中价带顶空穴数目为0，则半导体一定处于绝对零度
C、在非简并状况下，玻尔兹曼统计分布可以代替费米统计分布
D、在低温的电离区，N型半导体费米能级的位置随温度升高先靠近导带底，再向禁带中线靠近
