考研复试资料共享（材料科学与工程/半导体材料与器件  ）

导师提问

提前准备了自己的简历，四六级证书，，注意多准备几份，确保每个导师一份，

复试面试相关问题：

1、隧道击穿

当 PN 结两边掺入高浓度的杂质时，其耗尽层宽度很小，即使外加反向电压不太高，在 PN 结内就可形成很强的电场，将共价键的价电子直接拉出来，产生电子-空穴对。使反向电流急剧增加、出现击穿现象。

2、集边效应

在大电流下，基极的串联电阻上产生一个大的压降，使得发射极由边缘到中心的

电场减小，从而电流密度从中心到边缘逐步增大，出现了发射极电流在靠近基区的边缘逐渐增大，此现象称为 发射极电流集边效应，或基区电阻自偏压效应。

3、简述双极型晶体管中重掺杂发射区目的

4、为什么MOS场效应晶体管的饱和电流并不完全饱和？

5、金属-半导体功函数差是如何影响C-V曲线的？

6、晶体管具有放大能力需具备哪些条件？

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