中国科学院微电子研究所 尚大山 男 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2020-04-11 来源：研招办
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研究领域
围绕类脑计算领域的重要科学与技术问题，开展新型具有存算一体功能的神经形态信息器件材料、结构、机理和集成技术的研究，拓展神经形态器件在类脑计算中的应用，包括：
1.神经形态信息器件与集成
2.新型非易失性信息存储器件与集成
3.脉冲神经网络模型与算法及其相关的周边电路
招生信息
每年招收一名博士和一名硕士
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
080501-材料物理与化学
招生方向
神经形态信息存储器件与集成技术
新型高密度、低功耗、非易失性存储器件，类脑存储与计算信息功能器件，面向人工智能、大数据应用的神经形态功能电子器件与神经网络计算
新型高密度、低功耗、非易失性存储器件，类脑存储与计算信息功能器件，面向人工智能、大数据应用的神经形态功能电子器件与神经网络计算
教育背景
2004-03--2007-07 中国科学院上海硅酸盐研究所 博士
学历
学位
工作经历
工作简历
2018-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2014-03~2018-10,中国科学院物理研究所, 副研究员
2013-11~2014-01,英国剑桥大学材料科学与冶金系, 访问学者
2012-07~2014-03,德国亚琛工业大学物理系（IA), 洪堡学者
2011-05~2012-04,韩国国立首尔大学物理与天文系, 博士后
2009-07~2018-10,中国科学院物理研究所, 副研究员
2007-08~2009-06,中国科学院物理研究所, 博士后
2014-03~2018-10,中国科学院物理研究所, 副研究员
2013-11~2014-01,英国剑桥大学材料科学与冶金系, 访问学者
2012-07~2014-03,德国亚琛工业大学物理系（IA), 洪堡学者
2011-05~2012-04,韩国国立首尔大学物理与天文系, 博士后
2009-07~2018-10,中国科学院物理研究所, 副研究员
2007-08~2009-06,中国科学院物理研究所, 博士后
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
出版信息
发表论文
（1） Electric control of exchange bias in multiferroic hexaferrite Ba0.4Sr1.6Mg2Fe22O22, Physics Review B, 2018, 第 4 作者
（2） Spin-induced multiferroicity in the binary perovskite manganite Mn2O3, Nature Communication, 2018, 第 4 作者
（3） All-solid-state synaptic transistor with ultralow conductance for neuromorphic computing, Advanced Functional Materials, 2018, 第 2 作者
（4） Mimic synaptic plasticity and neural network using memtranstors, Advanced Materials, 2018, 第 2 作者
（5） Room-temperature nonvolatile memory based on a single-phase multiferroic hexaferrite, Advanced Functional Materials, 2018, 第 2 作者
（6） 基于磁电耦合效应的基本电路元件和非易失性存储器, 物理学报, 2018, 第 2 作者
（7） Giant magnetoelectric effects achieved by tuning spin cone symmetry in Y-type hexaferrites, Nature Communication, 2017, 第 8 作者
（8） Direct measurement of thermoelectric properties of β-MnO2 in its powder form, Applied Physics Letters, 2017, 第 5 作者
（9） A synaptic transistor based on quasi-two- dimensional molybdenum oxide, Advanced Materials, 2017, 第 2 作者
（10） Electrochemical-reaction-induced synaptic plasticity in MoOx-based solid state electrochemical cells, Physical Chemistry Chemical Physics, 2017, 第 2 作者
（11） Realization of a flux-driven memtranstor at room temperature, Chinese Physics B, 2016, 第 2 作者
（12） A multilevel nonvolatile magnetoelectric memory, Scientific Report, 2016, 第 3 作者
（13） Nonvolatile memory based on nonlinear magnetoelectric effects, Physical Review Applied, 2016, 第 4 作者
（14） Quantum electric-dipole liquid on a triangular lattice, Nature Communication, 2016, 第 7 作者
（15） Nonvolatile Multi-level Memory and Boolean Logic Gates Based on a Single Ni/[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.7[PbTiO3]0.3/Ni Heterostructure, Physical Review Applied, 2016, 第 2 作者
（16） Moisture effects on the electrochemical reaction and resistance switching at Ag/molybdenum oxide interfaces, Physical Chemistry Chemical Physics, 2016, 第 2 作者
（17） Nonvolatile transtance change random access memory based on magnetoelectric P(VDF-TrFE)/Metglas heterostructures, Applied Physics Letters, 2016, 第 2 作者
（18） Memristive switching in Cu/Si/Pt cells and its improvement in vacuum environment, Solid State Ionics, 2016, 第 1 作者
（19） Towards the Complete Relational Graph of Fundamental Circuit Elements, Chinese Physics B, 2015, 第 1 作者
（20） Understanding the conductive channel evolution in Na:WO3-x-based planar devices, Nanoscale, 2015, 第 1 作者
（21） 14) Resistance switching in oxides with inhomogeneous conductivity, Chinese Physics B, 2013, 第 1 作者
（22） Gradual electroforming and memristive switching in Pt/CuOx/Si/Pt systems, Nanotechnology, 2013, 第 2 作者
（23） Trap state controlled bipolar resistive switching effect and electronic transport in LaAlO3/Nb:SrTiO3 heterostructures, Applied Physics Letters, 2013, 第 6 作者
（24） Visualization of the conductive channel in a planar resistance switching device based on electrochromic materials, Journal of Applied Physics, 2012, 第 1 作者
（25） Nonlinear dependence of set time on pulse voltage caused by thermal accelerated breakdown in the Ti/HfO2/Pt resistive switching devices, Applied Physics Letters, 2012, 第 4 作者
（26） Pulse-induced alternation from bipolar resistive switching to unipolar resistive switching in the Ag/AgOx/MgZnO/Pt device, Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, 第 4 作者
（27） Local resistance switching at grain and grain boundary surfaces of polycrystalline tungsten oxide films, Nanotechnology, 2011, 第 1 作者
（28） Roles of silver oxide in the bipolar resistance switching devices with silver electrode, Applied Physics Letters, 2011, 第 2 作者
（29） Improved resistance switching in ZnO-based devices decorated with Ag nanoparticles, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 2 作者
（30） Direct observation of local resistance switching in WO3 films, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 3 作者
（31） Flexible resistance memory devices based on Cu/ZnO:Mg/ITO structure, Phys. Status Solidi (RRL), 2010, 第 2 作者
（32） Improvement of reproducible resistance switching in polycrystalline tungsten oxide films by in situ oxygen annealing, Applied Physics Letters, 2010, 第 1 作者
（33） Endurance improvement of resistance switching behaviors in the La0.7Ca0.3MnO3 film based devices with Ag-Al alloy top electrodes, Journal of Applied Physics, 2010, 第 5 作者
（34） Electronic transport and colossal electroresistance in SrTiO3:Nb-based Schottky junctions, Applied Physics Letters, 2009, 第 1 作者
（35） Crystallinity dependence of resistance switching in La0.7Ca0.3MnO3 films grown by pulsed laser deposition, Journal of Applied Physics, 2009, 第 1 作者
（36） Bipolar Resistance Switching in Fully Transparent ZnO:Mg-Based Devices, Applied Physics Express, 2009, 第 2 作者
（37） Electric pulse-induced resistance switching in (Bi2O3)0.7(Y2O3)0.3 films, Journal of Applied Physics, 2009, 第 2 作者
（38） The polarity origin of the bipolar resistance switching behaviors in metal/La0.7Ca0.3MnO3/Pt junctions, Applied Physics Letters, 2009, 第 5 作者
（39） Resistive switching properties in oxygen-deficient Pr0.7Ca0.3MnO3 junctions with active Al top electrodes, Journal of Applied Physics, 2009, 第 2 作者
（40） Resistance dependence of photovoltaic effect in Au/SrTiO3:Nb(0.5 wt %) Schottky junctions, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
（41） Photoresponse of the Schottky junction Au/SrTiO3:Nb in different resistive states, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
（42） Reversible multilevel resistance switching of Ag-La0.7Ca0.3MnO3-Pt heterostructures, Journal of Material Research, 2008, 第 1 作者
（43） Asymmetric fatigue and its endurance improvement in resistance switching of Ag-La0.7Ca0.3MnO3-Pt heterostructures, Journal of Physics D: Applied Physics, 2007, 第 1 作者
（44） "Positive" and "negative" electric-pulse-induced reversible resistance switching effect in Pr0.7Ca0.3MnO3 films, Applied Physics A: Material Science and Process, 2007, 第 2 作者
（45） Temperature dependence of current-voltage characteristics of Ag-La0.7Ca0.3MnO3-Pt heterostructures, Applied Physics Letters, 2006, 第 1 作者
（46） Effect of carrier trapping on the hysteretic current-voltage characteristics in Ag/La0.7Ca0.3MnO3/Pt heterostructures, Physics Review B, 2006, 第 1 作者
（47） Resistance switching driven by polarity and voltage of electric pulse in Ag- La0.7Ca0.3MnO3-Pt sandwiches, Applied Physics A: Material Science and Process, 2005, 第 4 作者
（48） Retention behavior of the electric-pulse-induced reversible resistance change effect in Ag-La0.7Ca0.3MnO3-Pt sandwiches, Applied Physics Letters, 2005, 第 4 作者
（2） Spin-induced multiferroicity in the binary perovskite manganite Mn2O3, Nature Communication, 2018, 第 4 作者
（3） All-solid-state synaptic transistor with ultralow conductance for neuromorphic computing, Advanced Functional Materials, 2018, 第 2 作者
（4） Mimic synaptic plasticity and neural network using memtranstors, Advanced Materials, 2018, 第 2 作者
（5） Room-temperature nonvolatile memory based on a single-phase multiferroic hexaferrite, Advanced Functional Materials, 2018, 第 2 作者
（6） 基于磁电耦合效应的基本电路元件和非易失性存储器, 物理学报, 2018, 第 2 作者
（7） Giant magnetoelectric effects achieved by tuning spin cone symmetry in Y-type hexaferrites, Nature Communication, 2017, 第 8 作者
（8） Direct measurement of thermoelectric properties of β-MnO2 in its powder form, Applied Physics Letters, 2017, 第 5 作者
（9） A synaptic transistor based on quasi-two- dimensional molybdenum oxide, Advanced Materials, 2017, 第 2 作者
（10） Electrochemical-reaction-induced synaptic plasticity in MoOx-based solid state electrochemical cells, Physical Chemistry Chemical Physics, 2017, 第 2 作者
（11） Realization of a flux-driven memtranstor at room temperature, Chinese Physics B, 2016, 第 2 作者
（12） A multilevel nonvolatile magnetoelectric memory, Scientific Report, 2016, 第 3 作者
（13） Nonvolatile memory based on nonlinear magnetoelectric effects, Physical Review Applied, 2016, 第 4 作者
（14） Quantum electric-dipole liquid on a triangular lattice, Nature Communication, 2016, 第 7 作者
（15） Nonvolatile Multi-level Memory and Boolean Logic Gates Based on a Single Ni/[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.7[PbTiO3]0.3/Ni Heterostructure, Physical Review Applied, 2016, 第 2 作者
（16） Moisture effects on the electrochemical reaction and resistance switching at Ag/molybdenum oxide interfaces, Physical Chemistry Chemical Physics, 2016, 第 2 作者
（17） Nonvolatile transtance change random access memory based on magnetoelectric P(VDF-TrFE)/Metglas heterostructures, Applied Physics Letters, 2016, 第 2 作者
（18） Memristive switching in Cu/Si/Pt cells and its improvement in vacuum environment, Solid State Ionics, 2016, 第 1 作者
（19） Towards the Complete Relational Graph of Fundamental Circuit Elements, Chinese Physics B, 2015, 第 1 作者
（20） Understanding the conductive channel evolution in Na:WO3-x-based planar devices, Nanoscale, 2015, 第 1 作者
（21） 14) Resistance switching in oxides with inhomogeneous conductivity, Chinese Physics B, 2013, 第 1 作者
（22） Gradual electroforming and memristive switching in Pt/CuOx/Si/Pt systems, Nanotechnology, 2013, 第 2 作者
（23） Trap state controlled bipolar resistive switching effect and electronic transport in LaAlO3/Nb:SrTiO3 heterostructures, Applied Physics Letters, 2013, 第 6 作者
（24） Visualization of the conductive channel in a planar resistance switching device based on electrochromic materials, Journal of Applied Physics, 2012, 第 1 作者
（25） Nonlinear dependence of set time on pulse voltage caused by thermal accelerated breakdown in the Ti/HfO2/Pt resistive switching devices, Applied Physics Letters, 2012, 第 4 作者
（26） Pulse-induced alternation from bipolar resistive switching to unipolar resistive switching in the Ag/AgOx/MgZnO/Pt device, Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, 第 4 作者
（27） Local resistance switching at grain and grain boundary surfaces of polycrystalline tungsten oxide films, Nanotechnology, 2011, 第 1 作者
（28） Roles of silver oxide in the bipolar resistance switching devices with silver electrode, Applied Physics Letters, 2011, 第 2 作者
（29） Improved resistance switching in ZnO-based devices decorated with Ag nanoparticles, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 2 作者
（30） Direct observation of local resistance switching in WO3 films, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 3 作者
（31） Flexible resistance memory devices based on Cu/ZnO:Mg/ITO structure, Phys. Status Solidi (RRL), 2010, 第 2 作者
（32） Improvement of reproducible resistance switching in polycrystalline tungsten oxide films by in situ oxygen annealing, Applied Physics Letters, 2010, 第 1 作者
（33） Endurance improvement of resistance switching behaviors in the La0.7Ca0.3MnO3 film based devices with Ag-Al alloy top electrodes, Journal of Applied Physics, 2010, 第 5 作者
（34） Electronic transport and colossal electroresistance in SrTiO3:Nb-based Schottky junctions, Applied Physics Letters, 2009, 第 1 作者
（35） Crystallinity dependence of resistance switching in La0.7Ca0.3MnO3 films grown by pulsed laser deposition, Journal of Applied Physics, 2009, 第 1 作者
（36） Bipolar Resistance Switching in Fully Transparent ZnO:Mg-Based Devices, Applied Physics Express, 2009, 第 2 作者
（37） Electric pulse-induced resistance switching in (Bi2O3)0.7(Y2O3)0.3 films, Journal of Applied Physics, 2009, 第 2 作者
（38） The polarity origin of the bipolar resistance switching behaviors in metal/La0.7Ca0.3MnO3/Pt junctions, Applied Physics Letters, 2009, 第 5 作者
（39） Resistive switching properties in oxygen-deficient Pr0.7Ca0.3MnO3 junctions with active Al top electrodes, Journal of Applied Physics, 2009, 第 2 作者
（40） Resistance dependence of photovoltaic effect in Au/SrTiO3:Nb(0.5 wt %) Schottky junctions, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
（41） Photoresponse of the Schottky junction Au/SrTiO3:Nb in different resistive states, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
（42） Reversible multilevel resistance switching of Ag-La0.7Ca0.3MnO3-Pt heterostructures, Journal of Material Research, 2008, 第 1 作者
（43） Asymmetric fatigue and its endurance improvement in resistance switching of Ag-La0.7Ca0.3MnO3-Pt heterostructures, Journal of Physics D: Applied Physics, 2007, 第 1 作者
（44） "Positive" and "negative" electric-pulse-induced reversible resistance switching effect in Pr0.7Ca0.3MnO3 films, Applied Physics A: Material Science and Process, 2007, 第 2 作者
（45） Temperature dependence of current-voltage characteristics of Ag-La0.7Ca0.3MnO3-Pt heterostructures, Applied Physics Letters, 2006, 第 1 作者
（46） Effect of carrier trapping on the hysteretic current-voltage characteristics in Ag/La0.7Ca0.3MnO3/Pt heterostructures, Physics Review B, 2006, 第 1 作者
（47） Resistance switching driven by polarity and voltage of electric pulse in Ag- La0.7Ca0.3MnO3-Pt sandwiches, Applied Physics A: Material Science and Process, 2005, 第 4 作者
（48） Retention behavior of the electric-pulse-induced reversible resistance change effect in Ag-La0.7Ca0.3MnO3-Pt sandwiches, Applied Physics Letters, 2005, 第 4 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 基于磁电耦合材料的新型信息存储器件研究, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12
（ 2 ） 基于层状氧化物材料的神经突触晶体管, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12
（ 3 ） 低维磁性材料、磁电耦合与器件, 主持, 省级, 2018-10--2021-10
（ 2 ） 基于层状氧化物材料的神经突触晶体管, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12
（ 3 ） 低维磁性材料、磁电耦合与器件, 主持, 省级, 2018-10--2021-10
