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研究领域
高品质窄禁带半导体纳米线/片及其异质结构的分子束外延可控生长；基于半导体纳米线/片及其异质结构的拓扑量子计算；高性能窄禁带半导体电子及量子器件。
招生信息
招收硕士生
招生专业
招生方向
拓扑量子计算
教育背景
学历
2011-09--2014-06 中国科学院半导体研究所 博士研究生
学位
工作经历
工作简历
2014-07~2017-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
学术兼职
担任Nanoscale、Nanotechnology、J. Appl. Phys.、Chin. Phys. B、J. Phys. D: Appl. Phys.、Nanoscale Res. Lett.、Appl. Surf. Sci.、Materials Research Express、RSC Advances及中国科学：物理学 力学 天文学等杂志的独立审稿人。
教授课程
出版信息
期刊论文
1. D. Pan, J. Y. Wang, W. Zhang, L. J. Zhu, X. J. Su, F. R. Fan, Y. H. Fu, S. Y. Huang, D. H. Wei, L. J. Zhang, M. L. Sui, A. Yartsev, H. Q. Xu, J. H. Zhao*, “Dimension Engineering of High-Quality InAs Nanostructures on a Wafer-Scale”, Nano Lett., 19 (2019) 1632.
2. D. Pan, D. X. Fan, N. Kang, J. H. Zhi, X. Z. Yu, H. Q. Xu*, J. H. Zhao*, “Free-Standing Two-Dimensional Single-Crystalline InSb Nanosheets”, Nano Lett., 16 (2016) 834.
3. D. Pan, M. Q. Fu, X. Z. Yu, X. L. Wang, L. J. Zhu, S. H. Nie, S. L. Wang, Q. Chen, P. Xiong, S. von Molnár, J. H. Zhao*, “Controlled Synthesis of Phase-Pure InAs Nanowires on Si (111) by Diminishing the Diameter to 10 nm”, Nano Lett., 14 (2014) 1214.
4. L. X. Li, D. Pan*, Y. Z. Xue, X. L. Wang, M. L. Lin, D. Su, Q. L. Zhang, X. Z. Yu, H. So, D. H. Wei, B. Q. Sun, P. H. Tan, A. L. Pan, J. H Zhao*, “Near Full-Composition-Range High-Quality GaAs1-xSbx Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy”, Nano Lett., 17 (2017) 622.
5. H. So, D. Pan*, L. X. Li, J. H. Zhao*, “Foreign-Catalyst-Free Growth of InAs/InSb Axial Heterostructure Nanowires on Si (111) by Molecular-Beam Epitaxy”, Nanotechnology, 28 (2017) 135704.
6. L. X. Li, D. Pan*, H. So, X. L. Wang, Z. F. Yu, J. H. Zhao*, “GaAsSb/InAs Core-Shell Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy”, J. Alloys Compd., 724 (2017) 659.
7. D. Pan, S. L. Wang*, H. L. Wang, X. Z. Yu, X. L. Wang, J. H. Zhao*, “Structure and Magnetic Properties of (In, Mn)As Based Core-Shell Nanowires Grown on Si (111) by Molecular-Beam Epitaxy”, Chin. Phys. Lett., 31 (2014) 078103.
8. D. Pan, J. K. Jian, A. Ablat, J. Li, Y. F. Sun, R. Wu*, “Structure and Magnetic Properties of Ni-Doped AlN Films”, J. Appl. Phys., 112 (2012) 053911.
9. D. Pan, J. K. Jian, Y. F. Sun, R. Wu*, “Structure and Magnetic Characteristics of Si-Doped AlN Films”, J. Alloys Compd., 519 (2012) 41.
10. N. Kang*, D. X. Fan, J. H. Zhi, D. Pan, S. Li, C. Wang, J. K. Guo, J. H. Zhao*, H. Q. Xu*, “Two-Dimensional Quantum Transport in Free-Standing InSb Nanosheets”, Nano Lett., 19 (2019) 561.
11. L. B. Wang, D. Pan, G. Y. Huang, J. H. Zhao, N. Kang*, H. Q. Xu*, “Crossover from Coulomb Blockade to Ballistic Transport in InAs Nanowire Devices” Nanotechnology, 30 (2019) 124001.
12. X. Z. Wang, D. Pan,Y. X. Han, M. Sun, J. H. Zhao, Q. Chen*, “Vis-IR Wide-Spectrum Photodetector at Room Temperature Base on p-n Junction-Type GaAs1-xSbx/InAs Core-Shell Nanowire” ACS Appl. Mater. Interfaces, 2019, DOI: 10.1021/acsami.9b13559.
13. J. H. Xue, Y. J. Chen, D. Pan, J. Y. Wang, J. H. Zhao, S. Y. Huang*, and H. Q. Xu*, “Gate Defined Quantum Dot Realized in a Single Crystalline InSb Nanosheet”, Appl. Phys. Lett., 114 (2019) 023108.
14. J. H. Zhi, N. Kang*, S. Li, D. X. Fan, F. Su, D. Pan, S. Zhao, J. H. Zhao, H. Q. Xu*, “Supercurrent and Multiple Andreev Reflections in InSb Nanosheet SNS Junctions”, Phys. Status Solidi B, (2019) Doi: 10.1002/pssb.201800538.
15. J. H. Zhi, N. Kang*, F. Su, D. X. Fan, S. Li, D. Pan, S. Zhao, J. H. Zhao, H. Q. Xu*, “Coexistence of induced superconductivity and quantum Hall states in InSb nanosheets”, Phys. Rev. B, 99 (2019) 245302.
16. Y. L. Liang, X. T. Yin, P. Wang*, L. X. Li, D. Pan*, H. Y. Li, Q. J. Li, B. B. Liu, J. H. Zhao, “Semiconductor-metal transition in GaAs nanowires under high pressure”, Chin. Phys. B, 28 (2019) 076401.
17. J. Y. Wang, G. Y. Huang, S. Y. Huang*, J. H. Xue, D. Pan, J. H. Zhao*, H. Q. Xu*, “Anisotropic Pauli Spin-Blockade Effect and Spin-Orbit Interaction Field in an InAs Nanowire Double Quantum Dot”, Nano Lett., 18 (2018) 4741.
18. T. Li, R. Shen, M. Sun, D. Pan, J. M. Zhang, J. Xu, J. H. Zhao and Q. Chen*, “Improving the Electrical Properties of InAs Nanowire Field Effect Transistors by Covering Them with Y2O3/HfO2 Layers”, Nanoscale, 10 (2018) 18492.
19. W. Y. Yang, D. Pan, R. Shen, X. Z. Wang, J. H. Zhao and Q. Chen*, “Suppressing the Excess OFF-State Current of Short-Channel InAs Nanowire Field-Effect Transistors by Nanoscale Partial-Gate”, Nanotechnology, 29 (2018) 415203.
20. J. Y. Wang, S. Y. Huang*, G. Y. Huang, D. Pan, J. H. Zhao, H. Q. Xu*, “Coherent Transport in a Linear Triple Quantum Dot Made from a Pure-Phase InAs Nanowire”, Nano Lett., 17, (2017) 4158.
21. M. Q. Fu, Z. Q. Tang, X. Li, Z. Y. Ning, D. Pan, J. H. Zhao, X. L. Wei, Q. Chen*, “Crystal Phase- and Orientation-Dependent Electrical Transport Properties of InAs Nanowires”, Nano Lett., 16, (2016) 2478.
22. Z. C. Wang, D. Pan, L. Wang*, T. W. Wang, B. Zhao, Y. Wu, M. Yang, X. G. Xu*, J. Miao, J. H. Zhao, Y. Jiang, “Room-Temperature Spin Transport in InAs Nanowire Lateral Spin Valve” RSC Adv., 6 (2016) 75736.
23. J. Y. Wang, S. Y. Huang*, Z. J. Lei, D. Pan, J. H. Zhao, H. Q. Xu*, “Measurements of the Spin-Orbit Interaction and Landé g Factor in a Pure-Phase InAs Nanowire Double Quantum Dot in the Pauli Spin-Blockade Regime”, Appl. Phys. Lett., 109 (2016) 053106.
24. B. Y. Feng, S. Y. Huang*, J. Y. Wang, D. Pan, J. H. Zhao, H. Q. Xu*, “Schottky Barrier Heights at the Interfaces Between Pure-Phase InAs Nanowires and Metal Contacts”, J. Appl. Phys., 119 (2016) 054304.
25. Y. X. Han, X. Zheng, M. Q. Fu, D. Pan, X. Li, Y. Guo, J. H. Zhao, Q. Chen*, “Negative Photoconductivity of InAs Nanowires”, Phys. Chem. Chem. Phys., 18 (2016) 818.
26. X. Z. Yu, L. X. Li, H. L. Wang, J. X. Xiao, C. Shen, D. Pan, J. H. Zhao*, “Two-Step Fabrication of Self-Catalyzed Ga-Based Semiconductor Nanowires on Si by Molecular-Beam Epitaxy”, Nanoscale, 8 (2016) 10615.
27. X. Li, X. L. Wei*, T. T. Xu, D. Pan, J. H. Zhao, Q. Chen*, “Remarkable and Crystal-Structure-Dependent Piezoelectric and Piezoresistive Effects of InAs Nanowires”, Adv. Mater., 27 (2015) 2852.
28. L. B. Wang, J. K. Guo, N. Kang*, D. Pan, S. Li, D. X. Fan, J. H. Zhao, H. Q. Xu*, “Phase-Coherent Transport and Spin-Orbit Interaction in InAs Nanowires Grown by Molecule-Beam Epitaxy”, Appl. Phys. Lett., 106 (2015) 173105.
29. T. W. Shi, M. Q. Fu, D. Pan, Y. Guo, J. H. Zhao, Q. Chen*, “Contact Properties of Field-Effect Transistors Based on InAs Nanowire Thinner Than 16 nm”, Nanotechnology, 26 (2015) 175202.
30. X. L. Wang, H. L. Wang, D. Pan, T. Keiper, L. X. Li, X. Z. Yu, J. Lu, E. Lochner, S. von Molnár, P. Xiong*, and J. H. Zhao*, “Robust Manipulation of Magnetism in Dilute Magnetic Semiconductor (Ga, Mn)As by Organic Molecules”, Adv. Mater., 27 (2015) 8043.
31. M. Y. Zhu, J. Lu, J. L. Ma, L. L. Li, H. L. Wang, D. Pan, J. H. Zhao*, “Molecular-Beam Epitaxy of High-Quality Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Mn)Sb Single-Crystalline Films”, Acta Phys. Sin., 64 (2015) 077501.
32. M. Q. Fu, D. Pan, Y. J. Yang, T. W. Shi, Z. Y. Zhang, J. H. Zhao, H. Q. Xu, Q. Chen*, “Electrical Characteristics of Field-Effect Transistors Based on Indium Arsenide Nanowire Thinner Than 10 nm”, Appl. Phys. Lett., 105 (2014) 143101.
33. Q. Li, S. Y. Huang*, D. Pan, J. Y. Wang, J. H. Zhao, H. Q. Xu*, “Suspended InAs Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors”, Appl. Phys. Lett., 105 (2014) 113106.
34. X. Li, X. L. Wei, T. T. Xu, Z. Y. Ning, J. P. Shu, X. Y. Wang, D. Pan, J. H. Zhao, T. Yang and Q. Chen*, “Mechanical Properties of Individual InAs Nanowires Studied by Tensile Tests”, Appl. Phys. Lett., 104 (2014) 103110.
35. L. J. Zhu, D. Pan, J. H. Zhao*, “Scaling of Anomalous Hall Effect in Chemically Disordered L10-Mn1.5Ga”, Phys. Rev. B, 89 (2014) 220406.
36. H. H. Ren, J. K. Jian, C. Chen, D. Pan, A. Ablat, Y. F. Sun, J. Li, R. Wu*, “Ga-Vacancy-Induced Room-Temperature Ferromagnetic and Adjusted-Band-Gap Behaviors in GaN Nanoparticles”, Appl. Phys. A, 116 (2014) 185.
37. X. Z. Yu, H. L. Wang, D. Pan, J. H. Zhao*, J. Misuraca, S. von Molnár, P. Xiong, “All Zinc-Blende GaAs/(Ga, Mn)As Core-Shell Nanowires with Ferromagnetic Ordering”, Nano Lett., 13 (2013) 1572.
38. L. J. Zhu, D. Pan, S. H. Nie, J. Lu, J. H. Zhao*, “Tailoring Magnetism of Multifunctional MnxGa Films with Giant Perpendicular Anisotropy”, Appl. Phys. Lett., 102 (2013) 132403.
39. S. H. Nie, L. J. Zhu, J. Lu, D. Pan, H. L. Wang, X. Z. Yu, J. X. Xiao, J. H. Zhao*, “Perpendicularly Magnetized τ-MnAl (001) Thin Films Epitaxied on GaAs”, Appl. Phys. Lett., 102 (2013) 152405.
40. S. H. Nie, Y. Y. Chin, W. Q. Liu, J. C. Tung, J. Lu, H. J. Lin, G. Y. Guo*, K. K. Meng, L. Chen, L. J. Zhu, D. Pan, C. T. Chen, Y. B. Xu, W. S. Yan, Y. G. Zhao, J. H. Zhao*, “Ferromagnetic Interfacial Interaction and the Proximity Effect in a Co2FeAl/(Ga, Mn)As Bilayer”, Phys. Rev. Lett., 111 (2013) 027203.
41. S. H. Nie, L. J. Zhu, D. Pan, J. Lu, J. H. Zhao*, “Structural Characterization and Magnetic Properties of Perpendicularly Magnetized MnAl Films Grown by Molecular-Beam Epitaxy”, Acta Phys. Sin., 62 (2013) 178103.
42. L. J. Zhu, S. H. Nie, K. K. Meng, D. Pan, J. H. Zhao*, H. Z. Zheng, “Multifunctional L10-Mn1.5Ga Films with Ultrahigh Coercivity, Giant Perpendicular Magnetocrystalline Anisotropy and Large Magnetic Energy Product”, Adv. Mater., 24 (2012) 4547.
发表著作
科研活动
科研项目
（ 2 ） 高质量低维窄禁带III-V族半导体材料可控制备, 主持, 部委级, 2017-01--2020-12
（ 3 ） 窄禁带半导体InSb低维纳米结构中的自旋调控, 参与, 国家级, 2017-01--2020-12
（ 4 ） 第三代磁存储器的新材料及器件原理研究, 参与, 部委级, 2016-08--2021-08
（ 5 ） 用于拓扑量子计算的窄禁带半导体/超导体异质结纳米线原位分子束外延制备, 主持, 省级, 2019-01--2021-12
（ 6 ） 高质量窄禁带半导体/超导体异质结纳米线网络的原位分子束外延生长及输运性质, 主持, 国家级, 2020-01--2023-12
参与会议
1. 2019年9月，郑州大学，2019年中国物理学会秋季年会（口头报告）
2. 2019年9月，意大利比萨，Nanowire Week 2019 （海报）
3. 2019年8月，山东烟台，2019年全国分子束外延学术会议（口头报告）
4. 2019年7月，浙江杭州，2019年全国半导体物理学术会议（口头报告）
5. 2018年9月，大连理工大学，2018年中国物理学会秋季年会（口头报告）
6. 2018年9月，上海，第20届国际分子束外延大会（口头报告）
7. 2018年7月，法国蒙彼利埃，第34届国际半导体物理大会（ICPS2018）（口头报告）
8. 2018年6月，加拿大哈密尔顿，Nanowire Week 2018 （海报）
9. 2017年5月，瑞典Lund大学，Nanowire Week 2017 （口头报告）
10. 2017年5月，中科院大连化物所，第一届能源化学与材料国际青年论坛暨中科院青年创新促进会化学与材料分会2017学术年会（口头报告）
11. 2017年7月， 南京大学， The 1st International Semiconductor Conference for Global Challenges (ISCGC2017) （口头报告）
12. 2017年7月，南京大学，第21届全国半导体物理学术会议 （口头报告）
13. 2017年9月，日本仙台，2017 International Conference on Solid State Devices and Materials （口头报告）
14. 2016年11月，美国波士顿，2016年美国材料研究学会秋季年会（口头报告）
15. 2016年9，北京工业大学，2016年中国物理学会秋季年会（海报）
16. 2016年8月，北京，第33届国际半导体物理会议（海报）
17. 2015年7月，山西临汾，第20届全国半导体物理学术会议 （口头报告）
18. 2015年7月，内蒙古呼和浩特，2015 International Workshop on Nanomaterials & Nanodevices（邀请报告）
