中国科学院上海技术物理研究所 马英杰 男
作者：科大科院考研网 发表时间：2020-03-13 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
0805Z2-半导体材料与器件
080901-物理电子学
0805Z2-半导体材料与器件
080901-物理电子学
招生方向
半导体物理；半导体材料
半导体光电器件；半导体工艺
红外探测器；焦平面探测器
半导体光电器件；半导体工艺
红外探测器；焦平面探测器
教育背景
2009-09--2014-06 复旦大学 博士
2005-09--2009-06 华东理工大学 本科
2005-09--2009-06 华东理工大学 本科
学历
学位
工作经历
工作简历
2018-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2016-07~2018-03,美国加州大学洛杉矶分校, 访问学者
2014-07~2018-08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员/副研究员
2016-07~2018-03,美国加州大学洛杉矶分校, 访问学者
2014-07~2018-08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员/副研究员
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
（1） 2-3 微米波段InP 基无锑量子阱激光器材料、器件及应用, 三等奖, 省级, 2015
专利成果
（ 1 ） 一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层生长方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201611153882.0
（ 2 ） 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201510947270.8
（ 3 ） 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201610847176.X
（ 4 ） 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201410729324.9
（ 5 ） 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201510952593.6
（ 6 ） 一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910246107.7
（ 7 ） 一种InGaAs雪崩焦平面探测器的串扰抑制结构, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910246111.3
（ 2 ） 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201510947270.8
（ 3 ） 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201610847176.X
（ 4 ） 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201410729324.9
（ 5 ） 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201510952593.6
（ 6 ） 一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910246107.7
（ 7 ） 一种InGaAs雪崩焦平面探测器的串扰抑制结构, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910246111.3
出版信息
发表论文
（1） Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2018, 第 1 作者
（2） A versatile digitally-graded buffer structure for metamorphic device applications, Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 第 1 作者
（3） Enhanced Carrier Multiplication in InAs Quantum Dots for Bulk Avalanche Photodetector Applications, Advanced Optical Materials, 2017, 第 1 作者
（4） 2.25 μm Avalanche Photodiodes Using Metamorphic Absorber and Lattice-Matched Multiplier on InP, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 1 作者
（5） Impact of etching on the surface leakage generation in mesa-type InGaAs/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2016, 第 1 作者
（2） A versatile digitally-graded buffer structure for metamorphic device applications, Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 第 1 作者
（3） Enhanced Carrier Multiplication in InAs Quantum Dots for Bulk Avalanche Photodetector Applications, Advanced Optical Materials, 2017, 第 1 作者
（4） 2.25 μm Avalanche Photodiodes Using Metamorphic Absorber and Lattice-Matched Multiplier on InP, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 1 作者
（5） Impact of etching on the surface leakage generation in mesa-type InGaAs/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2016, 第 1 作者
发表著作
（1） 半导体光谱测试方法与技术, 科学出版社（北京）, 2016-01, 第 3 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） 基于高铟异变结构的铟镓砷红外APD波长扩展研究, 主持, 国家级, 2017-01--2019-12
（ 2 ） 航天激光三维成像近红外APD研究, 参与, 国家级, 2017-01--2020-12
（ 3 ） Design of waveguide InGaAs/InAlAs APDs towards 50-GHz bandwidth and beyond, 主持, 院级, 2017-12--2019-09
（ 4 ） 波长扩展InGaAs大面积高性能探测材料及器件研究, 参与, 国家级, 2016-07--2020-12
（ 2 ） 航天激光三维成像近红外APD研究, 参与, 国家级, 2017-01--2020-12
（ 3 ） Design of waveguide InGaAs/InAlAs APDs towards 50-GHz bandwidth and beyond, 主持, 院级, 2017-12--2019-09
（ 4 ） 波长扩展InGaAs大面积高性能探测材料及器件研究, 参与, 国家级, 2016-07--2020-12
