中国科学院半导体研究所 马文全 男 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2020-03-13 来源：研招办
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研究领域
半导体材料物理与器件物理
招生信息
招生专业
080901-物理电子学
080903-微电子学与固体电子学
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
锑化物二类超晶格及量子点红外探测器
光电子材料与器件
锑化物激光器
光电子材料与器件
锑化物激光器
教育背景
学历
博士
学位
理学博士
出国学习工作
工作经历
2001年4月-2004年10月：美国阿肯色大学博士后
2004年10月至今：中科院半导体所研究员
2004年10月至今：中科院半导体所研究员
工作简历
2004-10~现在, 中科院半导体所, 研究员
2001-05~2004-09,美国阿肯色大学, 博士后
2001-05~2004-09,美国阿肯色大学, 博士后
社会兼职
教授课程
半导体光电材料与器件
半导体低维结构红外探测器
红外光电子材料物理
半导体低维结构红外探测器
红外光电子材料物理
专利与奖励
奖励信息
专利成果
出版信息
最近论文
（1） Growth and electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well, J. Nanosci. Nanotechnol., 2018, 通讯作者
（2） Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure, Solid State Communications, 2017, 通讯作者
（3） Two-Color niBin Type II Superlattice Infrared Photodetector With External Quantum Efficiency Larger Than 100%, IEEE Electron Device Letters, 2017, 通讯作者
（4） Pushing detection wavelength toward 1 um by type II InAs/GaAsSb superlattices with AlSb insertion layers, IEEE Electron Device Letters, 2016, 通讯作者
（5） Impact of band structure of Ohmic contact layers on the response feature of p-i-n very long wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector, Appl. Phys. Lett., 2015, 通讯作者
（6） Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on, Appl. Phys. Lett., 2015, 通讯作者
（7） Narrow-Band Type II Superlattice Photodetector with Detection Wavelength Shorter than 2 um, IEEE Photo. Technol. Lett., 2015, 通讯作者
（8） Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector, Chin. Sci. Bull., 2014, 通讯作者
（9） Interface effect on structural and optical properties of typeII InAs/GaSb superlattices, J. Crystal Growth, 2014, 通讯作者
（10） Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy, Semicond. Sci. Technol. , 2013, 通讯作者
（11） 540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier, IEEE Electron Device Lett., 2013, 通讯作者
（12） High Structural Quality of Type II InAs/GaSb Superlattices for Very Long Wavelength Infrared Detection by Interface Control, IEEE J. Quantum Electron., 2012, 通讯作者
（13） Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity, Appl. Phys. Lett., 2012, 通讯作者
（14） Multilayered type-II GaSb/GaAs self-assembled quantum dot structure with 1.35μm light emission at room temperature, Physica E, 2012, 通讯作者
（15） Mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector using SiOxNy passivation, Jpn. J. Appl. Phys., 2012, 通讯作者
（16） How to use type II InAs/GaSb superlattice structure to reach detection wavelength of 2–3 μm, IEEE J. Quantum Electron., 2012, 通讯作者
（17） Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure, Appl. Phys. Lett., 2011, 通讯作者
（18） Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunnelling barriers, Appl. Phys. Lett., 2011, 通讯作者
（19） Very long wavelength quantum dot infarerd photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlgaAs insertion layers, Appl. Phys. Lett., 2011, 通讯作者
（20） Long wavelength infrared InAs/GaSb superlattice photodetectors with InSb-like and mixed interfaxes, IEEE J. Quantum Electron., 2011, 通讯作者
（21） Quantum well infrared photodetector simultaneously working in two atomospheric windows, Appl. Phys. A, 2010, 通讯作者
（22） Resonantly driven coherent oscillations in a solid state quantum emitter, Nature Physics, 2009, 第 4 作者
（23） Direct evidence of interlevel exciton transitions mediated by single phonons in a semiconductor quantum dot using resonant fluorescence spectroscopy, Phys. Rev. Lett., 2009, 第 4 作者
（24） Voltage tunable two-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector, Appli. Phys. Lett., 2008, 第 1 作者
（25） Resonance fluorescence from a coherently driven semiconductor quantum dot in a cavity, Phys. Rev. Lett., 2007, 第 4 作者
（2） Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure, Solid State Communications, 2017, 通讯作者
（3） Two-Color niBin Type II Superlattice Infrared Photodetector With External Quantum Efficiency Larger Than 100%, IEEE Electron Device Letters, 2017, 通讯作者
（4） Pushing detection wavelength toward 1 um by type II InAs/GaAsSb superlattices with AlSb insertion layers, IEEE Electron Device Letters, 2016, 通讯作者
（5） Impact of band structure of Ohmic contact layers on the response feature of p-i-n very long wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector, Appl. Phys. Lett., 2015, 通讯作者
（6） Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on, Appl. Phys. Lett., 2015, 通讯作者
（7） Narrow-Band Type II Superlattice Photodetector with Detection Wavelength Shorter than 2 um, IEEE Photo. Technol. Lett., 2015, 通讯作者
（8） Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector, Chin. Sci. Bull., 2014, 通讯作者
（9） Interface effect on structural and optical properties of typeII InAs/GaSb superlattices, J. Crystal Growth, 2014, 通讯作者
（10） Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy, Semicond. Sci. Technol. , 2013, 通讯作者
（11） 540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier, IEEE Electron Device Lett., 2013, 通讯作者
（12） High Structural Quality of Type II InAs/GaSb Superlattices for Very Long Wavelength Infrared Detection by Interface Control, IEEE J. Quantum Electron., 2012, 通讯作者
（13） Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity, Appl. Phys. Lett., 2012, 通讯作者
（14） Multilayered type-II GaSb/GaAs self-assembled quantum dot structure with 1.35μm light emission at room temperature, Physica E, 2012, 通讯作者
（15） Mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector using SiOxNy passivation, Jpn. J. Appl. Phys., 2012, 通讯作者
（16） How to use type II InAs/GaSb superlattice structure to reach detection wavelength of 2–3 μm, IEEE J. Quantum Electron., 2012, 通讯作者
（17） Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure, Appl. Phys. Lett., 2011, 通讯作者
（18） Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunnelling barriers, Appl. Phys. Lett., 2011, 通讯作者
（19） Very long wavelength quantum dot infarerd photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlgaAs insertion layers, Appl. Phys. Lett., 2011, 通讯作者
（20） Long wavelength infrared InAs/GaSb superlattice photodetectors with InSb-like and mixed interfaxes, IEEE J. Quantum Electron., 2011, 通讯作者
（21） Quantum well infrared photodetector simultaneously working in two atomospheric windows, Appl. Phys. A, 2010, 通讯作者
（22） Resonantly driven coherent oscillations in a solid state quantum emitter, Nature Physics, 2009, 第 4 作者
（23） Direct evidence of interlevel exciton transitions mediated by single phonons in a semiconductor quantum dot using resonant fluorescence spectroscopy, Phys. Rev. Lett., 2009, 第 4 作者
（24） Voltage tunable two-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector, Appli. Phys. Lett., 2008, 第 1 作者
（25） Resonance fluorescence from a coherently driven semiconductor quantum dot in a cavity, Phys. Rev. Lett., 2007, 第 4 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12
（ 2 ） 高性能长波长 InAs/GaSb二类超晶格材料基础研究, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12
（ 3 ） 量子点红外探测器材料及器件物理研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 4 ） XXX, 主持, 国家级, 2016-01--2018-12
（ 5 ） 低维固态极性结构中量子态调控及其原型器件研究, 参与, 国家级, 2018-01--2022-12
（ 2 ） 高性能长波长 InAs/GaSb二类超晶格材料基础研究, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12
（ 3 ） 量子点红外探测器材料及器件物理研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 4 ） XXX, 主持, 国家级, 2016-01--2018-12
（ 5 ） 低维固态极性结构中量子态调控及其原型器件研究, 参与, 国家级, 2018-01--2022-12
参与会议
（1）Reaching detection wavelength of 1 μm by type II superlattice structure Wenquan Ma, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, and Yulian Cao 2017-07-31
（2）Short Wavelength Infrared Detection Using Type II InAs/GaSb superlattice structure 2017-05-14
